美空军研究实验室资助通过合作协议开发大型碳化硅衬底。

　　美国防部下属的空军研究实验室正在寻求授予合作协议，开发大型碳化硅衬底和外延工艺，以推动技术在可承受性和质量方面的发展。

　　预计总的项目资助金额为1350万美元。

　　射频氮化镓器件正在快速成为高功率射频应用的首选技术。但其依赖于高质量、半绝缘碳化硅衬底的使用。高电压和电流处理相结合，以及开关频率能力使基于碳化硅的功率器件成为可选的硅替代技术。

　　此次资助项目申请截止日期为4月18日。