在台积电和Intel竞相公布2nm甚至1nm级别工艺进度的情况下，中国却在独辟蹊径产品研发石墨烯芯片，避开现阶段光刻技术对中国芯片的阻拦，务求完成弯道超越，这针对ASML有可能是重要严厉打击。

现阶段台积电和Intel的2nm甚至1nm级其他工艺进度并不顺利，台积电的3nm工艺原本预期在今年下半年批量生产并且为iPhone代加工A15Cpu，但是伴随着iPhone的A15Cpu最后选择了N5P工艺看来，好像台积电的3nm工艺批量生产很有可能再一次推迟而无法追上A15Cpu的批量生产时长。 

3nm工艺被认为是现阶段FinFET技术性的极限值，台积电的3nm工艺依然选用FinFET技术性，而三星层面则已引进GAA技术性用以3nm，三星从而在3nm工艺上获得技术领先优点与此同时也有望在更优秀2nm工艺上获得技术领先优点。

但是如同以上，不论是台积电或是三星的3nm工艺都遭遇批量生产难题，这就代表着他们的2nm甚至更优秀的工艺都遭遇瓶颈问题。业内都清晰现阶段的硅基芯片的限制便是1nm，可以这么说到3nm工艺以后已十分靠近硅基芯片的极限值，也就怪不得他们的优秀工艺遭遇批量生产瓶颈问题了。

危害着台积电等芯片生产厂更新优秀工艺也有当中的主要设备--第二代EUV光刻技术，ASML表明第二代EUV光刻技术更快也获得2025年批量生产，而且第一台第二代EUV光刻技术将最先交付给Intel，但是从ASML层面曾发生延迟交付难题，这代表着第二代EUV光刻技术不一定就可在2025年批量生产。

在硅基芯片工艺慢慢靠近极限值的时，中国芯片领域期待产品研发优秀的石墨烯芯片技术性，以石墨烯芯片取代现阶段的硅基芯片，石墨烯芯片有望破译硅基芯片的终极难题。

据统计石墨烯芯片在功能层面有望比硅基芯片提高10倍，而功能损耗却比硅基芯片低得多，恰好是有鉴于石墨烯芯片所具备的与众不同技术优势，全世界已进行石墨烯芯片的技术研发比赛，而中国已获得技术领先优点。 

中国产品研发石墨烯芯片实际上早就在2015年就已逐渐，因为中国较早合理布局石墨烯技术性，因而中国所获得的石墨烯专利权处于世界主导地位，数据统计表明中国所获得的石墨烯专利权是国外的6倍，尽管现阶段石墨烯芯片并未变成现实，可是中国已逐渐将石墨烯关键技术于散热器、石墨烯充电电池上。

中国在石墨烯技术性上的先给优点将有利于中国最后将石墨烯芯片变成现实，也许几年后在台积电、Intel等芯片制造企业推动1nm级其他情况下，中国就实现了石墨烯芯片的批量生产，到那时中国芯片将不会再受ASML的光刻技术牵制，在芯片领域获得技术领先优点。

中国在芯片技术性层面迅速获得进度，取决于这十年的十分重视，在中国芯片领域的努力下近十年来不断涌现了数千家芯片公司，慢慢形成了自身的芯片全产业链，借助于芯片全产业链的拼搏总算在石墨烯芯片层面取得突破，这也是中国芯片所获得的巨大成就。