专利摘要显示，本发明提出了一种基于石墨烯场效应的晶体管‑DNA 传感器及其在检测汞离子中的应用，该种传感器通过 CVD 方法制备石墨烯，利用 PMMA 作为转移介质，结合 FeCl3 溶液的腐蚀作用，高效地将石墨烯从铜基底转移到硅氧化片上，通过 RIE 反应离子刻蚀技术精确地刻蚀出所需的石墨烯条带，通过电阻蒸发镀膜机蒸镀金电极，通过控制蒸镀的厚度和形貌，确保传感器良好的电学接触和长期稳定性。本方法通过刻蚀后石墨烯条带边缘的羧基结合氨基修饰的 DNA，构建出新型的石墨烯‑DNA 传感器，以此制备专用的传感器结构通过锁相放大器对这传感器加入 Hg2+后反应的动力学行为进行了监测，该种传感器对 Hg2+离子高度灵敏的检测能力，其检测限制低至 0.438pM，极大的增强了现有的技术水平。